PHENOMENES PIEZOELECTRIQUES DANS LES STRUCTURES A ARSENIURE DE GALLIUMVYATKIN AP.1980; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., FIZ.; ISSN 0021-3411; SUN; DA. 1980; VOL. 23; NO 1; PP. 91-104; BIBL. 44 REF.Article

COURANT PIEZO-TUNNEL DANS LES JONCTIONS P-N A GAASVYATKIN AP; KRIVOROTOV NP.1977; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 20; NO 3; PP. 134-139; BIBL. 12 REF.Article

ETUDE DU TRAVAIL DE SORTIE ET DE LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE DE GE EN FAISANT VARIER L'ORIENTATION CRISTALLOGRAPHIQUE DE LA SURFACEVYATKIN AP; SHIROKOV AA.1972; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., ZAVDE., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 15; NO 7; PP. 111-116; BIBL. 18 REF.Serial Issue

ANISOTROPIE CRISTALLOGRAPHIQUE DES PROPRIETES SUPERFICIELLES DU GERMANIUM OXYDEVYATKIN AP; SHIROKOV AA.1973; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1973; NO 1; PP. 88-92; BIBL. 9 REF.Serial Issue

CONTRAINTES MECANIQUES EXCEDENTAIRES DANS LES JONCTIONS P-N MESA INDUITES PAR UNE PRESSION HYDROSTATIQUEVYATKIN AP; KRIVOROTOV NP; MISIK AM et al.1976; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 19; NO 4; PP. 60-63; BIBL. 6 REF.Article

MECANISME DE LA SENSIBILITE AUX CONTRAINTES DE DIODES A BARRIERES DE SCHOTTKY EN ARSENIURE DE GALLIUMVYATKIN AP; MAKSIMOVA NK; FILONOV NG et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 7; PP. 1384-1387; BIBL. 15 REF.Article

CROISSANCE A PARTIR DE LA PHASE LIQUIDE DE COUCHES EPITAXIQUES DE SOLUTIONS SOLIDES DE AL_XGA_1-XSBVILISOV AA; VYATKIN AP; GERMOGENOV VP et al.1976; IZVEST. AKAD. NAUK S.S.S.R., NEORG. MATER.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 12; NO 9; PP. 1527-1532; BIBL. 10 REF.Article

ETATS SUPERFICIELS RAPIDES ACTIVES PAR DES IONS ACTIVES D'ARGENT A L'INTERFACE GERMANIUM-ELECTROLYTE NEUTRESHIROKOV AA; BOZHKOV VG; VYATKIN AP et al.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 58; NO 8; PP. 91-96; BIBL. 15 REF.Article

OBTENTION ET ETUDE DES STRUCTURES A JONCTIONS P-N A BASE DES SOLUTIONS SOLIDES AL_XGA_1-XSBGERMOGENOV VP; VILISOV AA; VYATKIN AP et al.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 9; PP. 63-69; BIBL. 19 REF.Article

ETATS SUPERFICIELS RAPIDES A L'INTERFACE GE/ELECTROLYTE NEUTREBOZHKOV VG; SHIROKOV AA; VYATKIN AP et al.1974; ELEKTROKHIMIJA; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 10; NO 11; PP. 1686-1693; BIBL. 11 REF.Article

INFLUENCE DES IONS DE CUIVRE ET DE L'ORIENTATION CRISTALLOGRAPHIQUE SUR LES PROPRIETES SUPERFICIELLES DU GERMANIUM EN CONTACT AVEC L'ELECTROLYTESHIROKOV AA; BOZHKOV VG; VYATKIN AP et al.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 8; PP. 97-101; BIBL. 12 REF.Article

ANISOTROPIE DES PROPRIETES SUPERFICIELLES DE GE EN CONTACT AVEC L'ELECTROLYTESHIROKOV AA; BOZHKOV VG; VYATKIN AP et al.1974; ELEKTROKHIMIJA; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 10; NO 6; PP. 876-882; BIBL. 16 REF.Article

DIODES TUNNEL POUR LA MESURE DES PRESSIONSKRIVOROTOV NI; VYATKIN AP; SHCHEGOL SS et al.1977; PRIBORY TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 2; PP. 226-227; BIBL. 11 REF.Article

INFLUENCE DE LA PRESSION SUR LE COURANT TUNNEL INTERBANDES DANS L'ARSENIURE DE GALLIUMALEKSEEVA ZM; VYATKIN AP; KRIVOROTOV NP et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 2; PP. 222-225; BIBL. 13 REF.Article

SENSIBILITE DU COURANT DE PIC DES DIODES TUNNELS EN ARSENIURE DE GALLIUM PAR RAPPORT A LA PRESSIONALEKSEEVA ZM; VYATKIN AP; KRIVOROTOV NP et al.1976; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 19; NO 9; PP. 74-77; BIBL. 8 REF.Article

MOYENS ET METHODES D'ETUDE DES PARAMETRES DU TRANSPORT PNEUMATIQUE EN CONDUITE DU REMBLAI DURCISSANTVYATKIN AP; REPP K YU; KRAVCHENKO VP et al.1972; GORN. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 148; NO 5; PP. 37-38; BIBL. 6 REF.Serial Issue

EFFECT OF PRESSURE ON HOLE EFFECTIVE MASSES IN GAAS.ALEKSEEVA ZM; VYATKIN AP; KARAVAEV GF et al.1978; PHYS. STATUS SOLIDI, B; DDR; DA. 1978; VOL. 88; NO 1; PP. 321-326; ABS. GER; BIBL. 15 REF.Article

MECANISME DE FORMATION D'UNE BARRIERE REDRESSEUSE A UN CONTACT METAL-SEMICONDUCTEURVYATKIN AP; MAKSIMOVA NK; STEPANOV VE et al.1978; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1978; NO 27; PP. 21-27; BIBL. 23 REF.Article

ETUDE DE L'INFLUENCE D'UNE IRRADIATION ELECTRONIQUE SUR LES CARACTERISTIQUES DES DIODES A BARRIERE DE SCHOTTKY EN ARSENIURE DE GALLIUMVYATKIN AP; DUBININ AV; MAKSIMOVA NK et al.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 3; PP. 484-489; BIBL. 16 REF.Article

INFLUENCE DE L'IMPURETE DE CUIVRE ET DES DEFAUTS STRUCTURELS SUR LES PROPRIETES DU COMPOSE CDSNAS₂VOEVODINA OV; VYATKIN AP; VEDERNIKOVA TV et al.1980; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., FIZ.; ISSN 0021-3411; SUN; DA. 1980; VOL. 23; NO 5; PP. 102-108; BIBL. 9 REF.Article